球探体育比分下载:三星彎道超車懸了!臺積電 2納米 GAA 已進入交付研發,2023年試產

2020-09-21 13:26:36 來源:technews
消息指出,臺積電2納米制程研發,現已離開尋找路徑階段,進入交付研發,且法人預期2023 年下半即可風險性試產。

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臺積電去年就成立2納米專案研發團隊,在考慮成本、設備兼容、技術成熟及效能表現等多項條件下來尋找可行路徑,如今臺積電雖然仍沒有公布細節,但已表示將會是全新架構。而據供應鏈消息透露,臺積電2納米即將改采全新的GAA 基礎,使用多橋通道場效應晶體管(MBCFET)架構。

這是由于3納米已達FinFET 技術的瓶頸,會出現制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題,就算有EUV 技術加持,但2納米勢必要轉換跑道。雖然三星提早在3納米就打算采用GAA ,意圖在此技術上彎道超車臺積電,但臺積電研發多年的納米片(Nano Sheet)堆疊關鍵技術,及EUV 運用經驗,將能使良率提升更順利。

所以不少業內人士預期,若2納米在2023年即能投產,三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前臺積電所公布的制程推進現況來看,采用EUV 的5納米良率已快速追上7納米,顯見臺積電在良率提升上的底蘊,甚至有業界預期風險試產良率即可到9成。三星雖提前量產3納米GAA,但在性能上未必能壓過臺積電,而GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯,且據傳2納米背后還有蘋果的研發能量支持。

不過未來半導體制程將會更加競爭,不僅是三星,英特爾的SuperFin 技術也不可小覷,雖然納米節點時程落后,但實際性能并不真的多差。早有輿論認為,臺積電及三星的制程競逐,很多只是數字游戲,而英特爾其實相對踏實,就實際晶體管密度等指標來看,新的英特爾10納米強化版已接近臺積電5納米,是非常大的單一節點升級。

只要英特爾也敢忍痛殺價,SuperFin 仍然很有高階制程市場的競爭力,就如同三星8納米已打出一片市場一般,臺積電雖然還占有優勢,但仍不能輕敵。目前臺積電已表示,未來2納米研發生產將落腳新竹寶山,將規劃建設4 個超大型晶圓廠,將成為下一輪半導體大戰主力。 
 


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